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芯片工艺不断升级，从7nm到5nm，再到如今的3nm。台积电为苹果制造出全球首款3nm芯片A17Pro，被用于iPhone15Pro系列机型，高通，联发科也会在明年带来3nm芯片产品。而中国存储巨头长鑫存储正式官宣，也在3nm芯片领域成功突围，这是怎样的突破呢？

长鑫存储官宣3nm技术

3nm是目前全球最先进的技术，只有台积电和三星能造出来。这一技术突破了芯片制造的极限，使得芯片的性能和功耗得到了极大的提升。

作为计算机系统的核心组成部分，芯片的不断升级意味着计算机的运算速度和存储能力将进一步提高，为各行各业的信息技术应用带来了更大的可能性。

首个推出3nm芯片产品的是苹果，A17Pro内置190亿个晶体管，比上一代芯片提升了30亿个。接下来还会有更多的 3nm芯片登场，包括高通，联发科明年推出的3nm处理器。各方都在争相布局3nm，中国存储芯片巨头长江存储业成功突围了，正式官宣3nm芯片技术。

在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议上，长江存储 发布了一篇展示适用于3nm芯片的环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术。

该技术在理论上证明长江存储拥有了相应的技术实力，但必须要注意的是，掌握技术不代表拥有实际制造的能力。因为众所周知的原因，一些先进的半导体设备无法正常运送出货，所以当前长江存储还无法投入3nm芯片的生产制造。

但是从技术本身来看，长江存储先积累了技术专利，等将来时机成熟便有机会往下推进，这也是中国芯片突围的一个缩影。

长鑫存储仅成立于2016年，是中国领先的DRAM存储器制造商，也是中国首个推出 LPDDR5的存储企业。如今在3nm芯片领域，长鑫存储也有了相应的积累，相信还会取得更多的进展。

3nm市场格局洗牌

芯片市场的竞争远比想象的要激烈，在普通人看不到的背后，三星与台积电早已开展3nm芯片争夺战。三星是全球首个实现3nm芯片量产的厂商，也是第一个在3nm引入GAA架构的企业。

这是一种先进的晶体管结构，用于集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管。与传统的MOSFET相比，GAA技术在晶体管的通道周围包围了金属电极，实现了更好的电流控制和性能。

GAA技术可以减少晶体管之间的互相干扰，提高了集成电路的稳定性和可靠性。由于金属电极完全包围了晶体管的通道，可以提供更好的电流流动路径，从而提高了晶体管的开关速度和电流驱动能力。

台积电的3nm尚未引入GAA技术，预计在2025年生产2nm时才会用上这项工艺。而长鑫存储发布的技术论文对外展示了GAA技术可以适用于3nm，一旦将来真的应用于实际产品上，3nm市场的格局会再次洗牌。

至少在存储芯片这一块，三星电子，SK海力士没那么容易过上舒坦日子了。

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